- Все продукты
- Discrete Semiconductor Products
-
LV GaN HEMT
18 Продукты найдены
Изображение | Часть # | Производитель | Техническая спецификация | Описание | Доступность | Количество | RoHS | Заводское время выполнения заказа | Статус жизненного цикла | Статус RoHS |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
INN040W048A | Innoscience |
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement mode ...
|
В наличии
|
|
8 Недели | АКТИВЕН (Последнее обновление: 2 дня назад) | Соответствует RoHS | |||
|
||||||||||
INN040W080A | Innoscience |
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement mode ...
|
В наличии
|
|
8 Недели | АКТИВЕН (Последнее обновление: 2 дня назад) | Соответствует RoHS | |||
|
||||||||||
INN040W120A | Innoscience |
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement mode ...
|
В наличии
|
|
8 Недели | АКТИВЕН (Последнее обновление: 2 дня назад) | Соответствует RoHS | |||
|
||||||||||
INN040FQ012A | Innoscience |
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement mode ...
|
В наличии
|
|
8 Недели | АКТИВЕН (Последнее обновление: 2 дня назад) | Соответствует RoHS | |||
|
||||||||||
INN040FQ015A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
В наличии
|
|
8 Недели | АКТИВЕН (Последнее обновление: 2 дня назад) | Соответствует RoHS | |||
|
||||||||||
INN040FQ043A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
В наличии
|
|
8 Недели | АКТИВЕН (Последнее обновление: 2 дня назад) | Соответствует RoHS | |||
|
||||||||||
INN80LA01 | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
В наличии
|
|
8 Недели | АКТИВЕН (Последнее обновление: 2 дня назад) | Соответствует RoHS | |||
|
||||||||||
INN100W032A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
В наличии
|
|
8 Недели | АКТИВЕН (Последнее обновление: 2 дня назад) | Соответствует RoHS | |||
|
||||||||||
INN100W027A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
В наличии
|
|
8 Недели | АКТИВЕН (Последнее обновление: 2 дня назад) | Соответствует RoHS | |||
|
||||||||||
INN100W070A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
В наличии
|
|
8 Недели | АКТИВЕН (Последнее обновление: 2 дня назад) | Соответствует RoHS | |||
|